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MBR10100CT 肖特基二极管 饱和压降参数的知识普及

文章出处:鼎芯实业(深圳)有限公司文章编辑:颜凤人气:-发表时间:2017-01-31 14:09:00【
摘要 : 很多人可能对于肖特基二极管的饱和压降参数不是很了解,小编带大家进行MBR10100CT 肖特基二极管 饱和参数的知识普及。

首图.jpgASEMI肖特基二极管MBR10100FCT外观尺寸解读

ASEMI半导体常用肖特基二极管封装有TO-220TO-247/3PTO-263TO-251/TO-252等,MBR10100FCT是的封装方式为TO-220封装,下面所示为TO-220封装产品外图与尺寸图,从这一图片当中我们可以很直观的看到MBR10100FCT的实物照片,与实际尺寸。

QQ截图20170114134941.jpg

 

  ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT型号解读

 

肖特基二极管MBR10100FCT,其中MBR是肖特基的表示方式,10表示的是正向最大整流10A,而100表示的是反向耐压为100V,其中F表示的是全塑封封装,与之相对应的是半塑封封装,半塑封则省略不标示,而CT表示的是共阴,即内部两个芯片是共阴连接,这也是绝大多数肖特基二极管的内部连接方式,和其他同型号产品比较,如下 QQ截图20170114134912.jpg图所示:

 

    肖特基二极管饱和压降怎么去理解?

       
大家都知道,半导体不同于导体,它本身的电阻非常大,可以达到千欧级甚至于兆欧级,那怕是我们所看到二极管,我们在测量它的单向导通一侧时,它的电阻依然很大,所以在电路当中,当有电流通过时,它会有一个无法像导体一样可以忽略的电压产生,这个电压我们就叫做压降,这个电压,根据不同的掺杂工艺,不同的扩散工艺以及它的掺杂浓度等等不同,它所产生的压降也不一样,而因为半导体不遵循伏安特性曲线,所以我们在测量时不可能把它在不同电流下所产生的压降都测试出来,但我们可以测量出在它可通过最大电流时所产生的压降是多少,这个压降我们就称作饱和压降,它的现实意义在于,我们可以通过饱和压降作参考来选型我们在实际应用中所需要的参数。

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