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DB207S整流桥产品解析之电性参数芯片介绍

文章出处:鼎芯实业(深圳)有限公司文章编辑:高兰人气:-发表时间:2016-11-04 00:00:00【
摘要 : DB207S整流桥的电流电压是多大的?它使用的是什么芯片?ASEMI工程师为您介绍。

      DB207S整流桥的电流电压是多大的?它使用的是什么芯片?ASEMI工程师为您介绍。

DB207S整流桥电性参数

    DB207S的浪涌电流Ifsm为50A,漏电流(Ir)低于5uA,其工作时耐温度范围为
-55~150摄氏度。采用GPP芯片材质,里面有4颗芯片组成,芯片尺寸都是50MIL。它的
电性参数是:正向电流(Io)为2.0A,反向耐压为1000V,正向电压(VF)为1.05V,
恢复时间(Trr)达到500ns,其中有4条引线。

 

    ASEMI所生产的整流桥DB207S是使用GPP大芯片制作,其内部是由4颗相同体积的芯片组成的框架,框架材质为铜材料,黑胶部分采用复合材料环氧塑脂材料一次性浇铸成型,具有良好的包封性,引脚为无氧铜材质组成,高抗弯曲和高导电性。这样的整流桥不论是使用价值还是工艺价值,都是可圈可点的



   如果您对以上整流桥感兴趣或有疑问,请联系我们的企业QQ:800023533

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责任编辑:鼎芯

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